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当器件的特征尺寸达到0.1μm时,在双嵌入式互连结构中,将面临阻挡层和籽晶层淀积的挑战。利用自助离子化的等离子体(Self Ionized Plasma)技术,可以延伸PVD设备的使用领域。然而,当进入【0.1μm
铜的互连技术
【摘 要】
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当器件的特征尺寸达到0.1μm时,在双嵌入式互连结构中,将面临阻挡层和籽晶层淀积的挑战。利用自助离子化的等离子体(Self Ionized Plasma)技术,可以延伸PVD设备的使用领域。
【机 构】
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应用材料（中国）有限公司
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2002年3期
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