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介绍了改进的范德堡法和鲁美采夫斯基法,即此时用方形四探针分别替代边缘的触点和直线四探针,在大直径硅片上进行微区电阻率的测量。我们采用灰度法和模糊数学分类测得数据,并将它们分别在硅片上绘制出电阻率分布图。所得大型硅片上电阻率分布图已用于指导工程技术人员的集成电路生产和单晶锭生长,取得了较好的效果。