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本文叙述了采用单变容管调谐的4～8GHz共漏反沟道GaAs FET VCO的设计和研究结果。振荡器的直接输出功率大于16.5dBm,功率平坦度为±2dBm,线性度优于3:1(电调灵敏度之比)。并给出了振荡器其他性能。
4—8GHz倍频程GaAsFETVCO
【摘 要】
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本文叙述了采用单变容管调谐的4～8GHz共漏反沟道GaAs FET VCO的设计和研究结果。振荡器的直接输出功率大于16.5dBm,功率平坦度为±2dBm,线性度优于3:1(电调灵敏度之比)。
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所210016,210016
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1993年2期
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