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a—Si：H薄膜光衰效应的研究

来源 :山东工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：saiuggidia

【摘 要】

：

利用红外光谱(IR)和氢释放谱相结合的方法,研究了a-Si:H的结构与其光衰效应的关系,结果发现:随着Br含量的增加,IR谱中的2100cm-1峰以及H释放谱中的低峰逐渐减弱,以至完全消失

【作 者】

：

张慧芳 吴召平 

【机 构】

：

上海市北工业学校,中国科学院上海硅酸盐研究所

【出 处】

：

山东工业大学学报

【发表日期】

：

2001年5期

【关键词】

：

硅 溴 光衰效应 IR谱 薄膜 A-SI:H 氢释放谱 Optical effects Silicon Bromine 

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利用红外光谱(IR)和氢释放谱相结合的方法,研究了a-Si:H的结构与其光衰效应的关系,结果发现:随着Br含量的增加,IR谱中的2100cm-1峰以及H释放谱中的低峰逐渐减弱,以至完全消失.说明a-Si:H网络中的织构组织由于Br的掺入而逐渐消失,a-Si:H由均匀的Si-H组成.材料的光暗电导率比显著增加,达5×104,材料在500℃以上基本无H释放,结构稳定性增加.

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