【摘 要】
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用VPE生长技术和Be~+注入做保护环,已制得了平面结构的InP/InGaAsP/InGaAs雪崩光电二极管。在1.3μm和1.8G毕特/s下,测量了接收灵敏度。在10~(-9)BER下,获得的最小平均接收电
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用VPE生长技术和Be~+注入做保护环,已制得了平面结构的InP/InGaAsP/InGaAs雪崩光电二极管。在1.3μm和1.8G毕特/s下,测量了接收灵敏度。在10~(-9)BER下,获得的最小平均接收电平为-31.3dBm,此值比Ge-APD高1.2dB。
VPE growth technology and Be ~ + injection protection ring, has been made of planar structure of InP / InGaAsP / InGaAs avalanche photodiode. Receiver sensitivity was measured at 1.3 μm and 1.8 Gbit / s. At 10 -9 BER, the minimum average received level is -31.3 dBm, which is 1.2 dB above Ge-APD.
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