【摘 要】
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据日本《O Plus E》1990年第131期报道,日本索尼公司已研制成超超高速HEMT,其电子迁移率可望为目前双极晶体管10倍以上,异质结双极晶体管3倍以上,它属于新一代晶体管.通过控
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据日本《O Plus E》1990年第131期报道,日本索尼公司已研制成超超高速HEMT,其电子迁移率可望为目前双极晶体管10倍以上,异质结双极晶体管3倍以上,它属于新一代晶体管.通过控制材料的组分,可望实现1THz级的超超高速晶体管.
According to Japan’s “O Plus E” No. 131 of 1990 reported that Japan’s Sony has developed ultra-high-speed HEMT, the electron mobility is expected to more than 10 times the current bipolar transistor, heterojunction bipolar transistor more than 3 times, It belongs to a new generation of transistors and is expected to realize 1THz ultra-high speed transistors by controlling the material composition.
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