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采用0.35μmCMOS工艺，实现了一个500MHz、32×32bit的高速五端口寄存器堆。它可以同时进行二个写操作和三个读操作，并且在同一时钟周期完成先写后读。在电流工作方式下，通过设计优化的存储单元、新型高速电流灵敏放大器以及一种灵敏放大器控制信号产生电路，提高了寄存器堆的读取速度。另外还采用了TSPC（truesingle-phase clock)-D触发器等高速技术来进一步加快读取速度，电路仿真结果表明该寄存器堆的读取时间为1.85ns。