论文部分内容阅读
本文提出了霍尔器件的一种新的工作模式,称为单端短路霍尔电流输出模式.理论分析表明,在这种模式下霍尔器件的磁灵敏度将提高一倍.用镓砷与铟锑霍尔器件进行了实验.实验结果与理论满意的一致.
霍尔器件的一种新的工作模式
【摘 要】
：
本文提出了霍尔器件的一种新的工作模式,称为单端短路霍尔电流输出模式.理论分析表明,在这种模式下霍尔器件的磁灵敏度将提高一倍.用镓砷与铟锑霍尔器件进行了实验.实验结果
【机 构】
：
北京市电子工程有限公司IC实验室北京100005
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
1992年9期
其他文献
本工作制得节约型NSSC 2120双相不锈钢,采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、万能材料试验机及电化学工作站研究了固溶温度(1 000℃、1 050℃、1 100℃、1 150℃、1 200℃)对
通过铌铁矿先驱法制备了Pb（Mg（1/3）Nb（2/3））O3-Pb（Mn（1/3）Nb（2/3））O3-PbZrO3-PbTiO3＋0.3%CeO2（质量分数）＋xSrCO3（PMN-PMnN-PZT-Ce-xSr,x=0.00,0.03,0.05,0.07）四元系压电陶瓷,研究了SrCO3含量的
本文提出了一种采用超声 AB腐蚀方法显示 GaAs/AlGaAs单晶缺陷的新方法.该方法可以在自然光环境、常温下显示位错露头、位错线、层错、微沉淀及生长条纹等多种晶体缺陷,分辨
《国家中长期教育改革和发展规划纲要(2010-2020年)》(简称《纲要》)指明了我国高中教育未来十年的发展目标:特色化与多样化。那么发展目标的具体表现形式是什么?依据十二省
利用离化团束外延(ICBE)技术在GaAs(100)衬底上生长了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层.X光衍射和 RHEED分析结果表明外延层为单晶薄膜,双晶衍射摆动曲线半高宽达630弧秒.本
本文以共价晶体硅的(100)面为例,直接采用原子波函数,在键轨道模型近似下计算了清洁和存在氧吸附的表面Si原子的2p能级结合能的位移,得到了与实验数据相吻合的结果,从而证明
本工作采用时间分辨的OES技术,研究了TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体过程。探测到了Si,Si~+,Si~(2+),SiH~+,SiH,Si_2和H,并测量了它们的时间演变过程;实验还研究了OES随样品
工业设计教育需要紧随着时代的发展不断进步,国家大力提倡＂中国制造＂的价值的必将对现有教育体系改革提出更高要求。工业设计教育体系落后的重要体现就是造型设计教学中缺乏一