【摘 要】
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本工作在GaP/Si衬底上基于In0.83Al0.17As异变缓冲层实现了InAs/In0.83Al0.17As量子阱的生长.研究了GaxIn1-xP和GaAsyP1-y递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响.采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少.两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度.这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室,上海200050;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室,上海200050;中国科学院上海
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本工作在GaP/Si衬底上基于In0.83Al0.17As异变缓冲层实现了InAs/In0.83Al0.17As量子阱的生长.研究了GaxIn1-xP和GaAsyP1-y递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响.采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少.两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度.这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs量子阱结构具有相对更优的效果.“,”InAs/In0. 83Al0. 17As quantum wells have been demonstrated on In0. 83Al0. 17As metamorphic layers on GaP/Si substrates. The effects of GaxIn1-xP and GaAsyP1-y graded buffer layers on the sample performances are investi?gated. The sample with GaxIn1-xP metamorphic buffer layer has narrower width in X-ray diffraction reciprocal space maps,indicating less misfit dislocations in the sample. Mid-infrared photoluminescence signals have been observed for both samples at room temperature,while the sample with GaxIn1-xP metamorphic buffer shows stron?ger photoluminescence intensity at all temperatures. The results indicate the metamorphic buffers with mixed cat?ions show superior effects for the mid-infrared InAs quantum wells on GaP/Si composite substrates.
其他文献
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nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度.由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于III-V化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展.通过理论模拟,基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流.然而,去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展.本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制,并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势.“,”The nBn infrared(IR)detector
开展了不同重频下2.79μm中红外激光对PbS探测器的损伤实验.基于传热学理论,利用有限元法对2.79μm中红外激光辐照PbS探测器中的温度分布进行了数值分析,并比较了脉冲数目、重复频率对损伤效果的影响,分析了2.79μm中红外激光辐照PbS探测器的损伤机理,获取了相关阈值数据.研究表明,2.79μm中红外激光对PbS探测器的损伤机理主要以热熔融为主,在温度没有达到PbS熔点时,PbS就会发生热分解反应,析出黄色沉淀物PbO;计算得到单脉冲2.79μm中红外激光对PbS探测器的损伤阈值为13.03 J/c
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析.此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异.在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容
在不同氧分压下,用脉冲激光沉积法在c-蓝宝石衬底上制备了高质量β-Ga2O3?δ薄膜.通过X-射线衍射、远红外反射光谱、X-射线光电子能谱和紫外-可见-近红外透射光谱系统地研究了β-Ga2O3?δ薄膜的晶格结构、化学计量比和光学性质.X-射线衍射分析表明,所有沉积的薄膜以(-201)晶向方向生长.透射光谱显示薄膜在255 nm以上的紫外-可见-近红外波段具有80％以上的高透明度,同时在255 nm附近有一个陡峭的吸收边.此外,利用Tauc-Lorentz(TL)色散函数模型和Tauc公式,我们提取了β-G
当今是信息化时代,在工业化基础之上,数字化制造应运而生.火炸药是一类能源产品,其数字化制造技术也随之发展,但由于数字化制造与火炸药工艺的特殊性,有必要对相关的定义与内涵进行明确,对其技术体系进行构建.
基于立方星辐射计直接检波系统,设计并实现了中心频率分别为89 GHz和150 GHz的两款毫米波零偏置肖特基检波器.检波器设计基于ACST的零偏置肖特基二极管.为了获得稳定、优越的性能以及较好的宽带特性,并易于与前级系统集成,更适于立方星辐射计小型化,在直流接地电路与输出电路处采用扇形线结构,并通过一段可调传输线对其端口阻抗进行优化.本文对肖特基二极管及检波器电路结构进行了分析、建模和优化.测试结果表明,W波段检波器在85～95 GHz范围内具有2500 V/W的典型灵敏度,在89 GHz测试的线性度为0
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