【摘 要】
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nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度.由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于III-V化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展.通过理论模拟,基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流.然而,去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展.本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制,并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势.“,”The nBn infrared(IR)detector
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院大学杭州高等研究院物理与光电工程学院,浙江杭州310024;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;中国科学
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nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度.由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于III-V化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展.通过理论模拟,基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流.然而,去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展.本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制,并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势.“,”The nBn infrared(IR)detector is designed to eliminate the Shockley-Read-Hall(SRH)generation-re?combination(G-R)currents,which will effectively reduce the dark current and increase the operating temperature of the detector. Due to the compatibility of the manufacturing process and the existence of a substrate with a per?fectly matched lattice,the nBn infrared detectors based on Ⅲ?V compounds including type?Ⅱ superlattice (T2SLs)materials have been developed rapidly. Through theoretical simulation,the nBn infrared detector based on the HgCdTe material system can also effectively suppress the dark current. However,the difficulty of remov?ing the valence band barrier hinders HgCdTe nBn infrared detector development. This review will elaborate on the physical mechanism of nBn detectors to suppress dark current,and then introduce the development status and de?velopment trend of nBn barrier detectors in different semiconductor materials.
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