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采用标准0．35μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3．1～10．6GHz的超宽带低噪声放大器。从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计。结果表明，通过合适的电路结构和器件参数选择，可以采用0．35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器。在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB，噪声系数为3．5dB，电路的工作电压为2．5V。电流消耗为4．38mA。