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通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化，本文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的现场研究，文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响，并实时考察了硅氢表面在开路电位下的氧化过程，实验结果表明，在以ＨＦ为主的湿法刻蚀中，硅表面的悬挂键主要被Ｈ而不是被Ｆ取代。
硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术
【摘 要】
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通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化，本文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的现场研究，文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响，并实时考察了硅氢表面在开路电位下的
【机 构】
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厦门大学化学系,厦门大学化学系
【出 处】
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光谱学与光谱分析
【发表日期】
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2000年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金委资助,,国家教育部资助项目!(No 2 990 30 0 9,2 962 530 6 ,991 77)
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