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目的研究CVD金刚石薄膜的介电性能.方法采用直流电弧等离子体CVD制备金刚石薄膜,测定其结构和介电性能(频率与电导、介电常数及损耗因子的关系).结果CVD金刚石薄膜的介电性能主要取决于样品的多晶性质,以及表面和晶界处的非金刚石相和杂质成分.在500℃下对样品进行退火可以除去其中的大部分非晶石墨相,但不能去除所有的非晶石墨相和杂质.结论CVD金刚石薄膜如果要在电子器件上获得应用,在样品的制备和后处理方面还有许多工作要做.