化学气相沉积金刚石薄膜的介电性能研究(英文)

来源 :Journal of Beijing Institute of Technology(English Edition) | 被引量 : 0次 | 上传用户：yeximajor

【摘要】

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目的研究CVD金刚石薄膜的介电性能．方法采用直流电弧等离子体CVD制备金刚石薄膜，测定其结构和介电性能（频率与电导、介电常数及损耗因子的关系）．结果CVD金刚石薄膜的介电性能主要

【作者】

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汪浩王秀芬郭林朱鹤孙

【机构】

：

北京理工大学材料科学研究中心!北京,100081

【出处】

：

Journal of Beijing Institute of Technology(English Edition)

【发表日期】

：

1998年3期

【关键词】

：

介电性能金刚石薄膜直流电弧等离子体CVD dielectric properties diamond film DC are plasma jet CV

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目的研究CVD金刚石薄膜的介电性能．方法采用直流电弧等离子体CVD制备金刚石薄膜，测定其结构和介电性能（频率与电导、介电常数及损耗因子的关系）．结果CVD金刚石薄膜的介电性能主要取决于样品的多晶性质，以及表面和晶界处的非金刚石相和杂质成分．在500℃下对样品进行退火可以除去其中的大部分非晶石墨相，但不能去除所有的非晶石墨相和杂质．结论CVD金刚石薄膜如果要在电子器件上获得应用，在样品的制备和后处理方面还有许多工作要做．

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