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观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射，对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临辊的合半导体存在着有效质量的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射，在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征施主深能级，实验结果证明了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性，根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌＡｓ中施主的电荷态。