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将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进，提出了新型SiGe/Si异质结p-i-n开关功率二极管结构，在分析器件结构机理的基础上，用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计，结果表明，该功率二极管具有低的正向压降，较少的存贮电荷，其性能远远超过Si的同类型结构，这种性能的改进无需采用少子寿命控制技术，因而很容易集成于功率IC中。