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期刊论文
ICP硅深槽刻蚀技术研究
ICP硅深槽刻蚀技术研究
来源 :集成电路通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rilton
【摘 要】
:
介绍电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术的基本概念,并结合英国STS公司高密度反应离子刻蚀机的刻蚀机理及刻蚀过程,对硅深槽刻蚀技术进行分析和研究,总结出满足不同工艺要求的硅深槽刻蚀
【作 者】
:
黄斌
郭群英
【机 构】
:
中国兵器工业第214研究所
【出 处】
:
集成电路通讯
【发表日期】
:
2009年4期
【关键词】
:
ICP
Boseh技术
速率
均匀性
SOI
Footing效应
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介绍电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术的基本概念,并结合英国STS公司高密度反应离子刻蚀机的刻蚀机理及刻蚀过程,对硅深槽刻蚀技术进行分析和研究,总结出满足不同工艺要求的硅深槽刻蚀方案。
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