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介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺.电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3-7温度编码电路,降低了对R-2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度.
十二位SOI／CMOS数模转换器的研制
【摘 要】
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介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺.电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3-7温度编码电
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,四川固体电路研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2002年1期
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