【摘 要】
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采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛（C0.4S0.6NT）铁电薄膜。研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的（200）择优取向、显微结构及铁
【机 构】
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山东建筑大学材料科学与工程学院,济南大学理学院
【基金项目】
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山东省自然科学基金项目（Y2007F36）,国家自然科学基金项目（No.60471042）
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采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛（C0.4S0.6NT）铁电薄膜。研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的（200）择优取向、显微结构及铁电性能的影响。发现：恰当的单层膜厚度,有助于薄膜（200）峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的I（200）/[I（119）＋I（00l）]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化（Pr）和矫顽场（Ec）分别为13.251
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