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研究了JFET区注入对大功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻的影响,分析讨论了JFET区注入影响击穿电压的机理,并定量给出JFET区注入对导通电阻的影响。通过器件数值模拟优化JFET区注入剂量,并根据仿真结果改进器件设计,在满足击穿电压要求的前提下导通电阻降低了8%。
JFET区注入对大功率VDMOS击穿电压和导通电阻的影响
【摘 要】
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研究了JFET区注入对大功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻的影响,分析讨论了JFET区注入影响击穿电压的机理,并定量给出JFET区注入对导通电阻的影响。通过器件数值模拟优化JFET
【机 构】
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清华大学核能与新能源技术研究院功率电子技术研究室,清华大学微电子学研究所,
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2011年06期
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