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采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层，进行3C—SiC的反向外延的选择性生长．TEM，AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实现了较高质量的外延选择生长，其界面清晰，掩蔽良好．生长出的3C—SiC薄膜为织构晶体，单晶性良好．残余应力测试表明3C—SiC薄膜晶格发生压应变，选择性生长区域的残余应力显著降低．据此结果建立了残余应力的形成机制．