论文部分内容阅读
本文描述了在高频和准静态C-V测量中,二氧化硅介质层有限电阻对测量准确性的影响。特别是在准静态测量中,由于频率相当低,MOS电容值只有100pF左右,所产生的位移电流为10(-9)~10(-14)A范围,介质层有限电阻产生的漏电流对测量准确性影响很大。因此,在存在漏电流的情况下,必须从测得的数值中扣除漏电流,才能进行界面态密度的计算。