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以双亲性嵌段共聚物F127(PEO106-PPO70-PEO106)为模板剂,聚乙烯基硅氮烷(PVSZ)为前驱体,采用软模板法和无压烧结工艺制备出不同微结构SiCNO陶瓷。利用扫描电镜、电子探针、X射线衍射仪、动态光散射、热重分析和阻抗分析仪等手段表征SiCNO陶瓷,并分析了不同形貌结构对陶瓷介电损耗特性的影响。结果表明,通过精确控制蒸发温度可制备出棒状、十字架状、球形和卵形结构SiCNO陶瓷;SiCNO陶瓷介电损耗与形貌结构密切相关,介电损耗值随着蒸发温度升高呈先增大后降低的趋势,当陶瓷微观结构为十字架