论文部分内容阅读
研究了低能量背面Ar^+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响。用低能量（550eV）的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面，能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度。饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率模型解释，而线性区低频噪声的减小可用载流子数模型解释；其变化的原因可能与氩离子束背面轰击后反型层电子的有效迁移率、二氧化硅中的固定电荷密度以及硅-二氧化硅界面的界面态密度的变化有关。