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通过X射线衍射，DSC和交流阻抗等测试方法研究了镉掺杂Bi2VO55的结构，相变和电性能。由于Cd^2＋的半径与V^5＋和Bi^3＋的半径都比较接近，所以在合成BICDVOX体系时假设了两种模型：Bi2V1-xCd，O5.5-3/2x（x=0．05，0．075，0．10，0．125，0．15）和Bi2-xVCdxO5．5-1／2x（x=0．10，0．20）。XRD和DSC分析表明了这两种模型可能同时存在。根据交流阻抗谱的结果，当x=0．10时，具有较高的电导率，这归因于此成分使高电导的四方相可以稳定到室温