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用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜．采用多种化学腐蚀方法，如熔融KOH，H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法，利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究，SEM显示在GaN薄膜相同位置处，不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别，结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错；H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错；而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错。