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用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜，明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现，薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度，该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变。选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到室温附近，获得较高室温电阻一温度系数的薄膜。
离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件
【摘 要】
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用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜，明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现，薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度，该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变。
【机 构】
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江苏工业学院信息科学系
【出 处】
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长江大学学报(自科版)
【发表日期】
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2005年10期
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