微波功率器件的扇形线测试电路

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jenniechen007
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了两种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具在3-8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果都表明,采用扇形线的测试电路性能较好.最后采用该电路和夹具对C波段AlGaN/GaN HEMT微波功率器件进行了微波功率测试,测试频率为5.4GHz.实验测得最大功率增益为8.75dB,最大输出功率为33.2dBm。
其他文献
给出一种利用等效负电阻实现阻抗增加的方法,利用该方法,文中所提出的电流源可在不增加电源电压的前提下显著提高其输出阻抗.基于0.6μm的CMOS工艺模型,仿真所得电流源的输出阻抗
用相对效率为60%的HPGe探测器测量。^87Kr的相对γ射线发射几率和用内充气正比计数管绝对测量。^87Kr放射性浓度。实验上测得了。^87Krγ射线发射几率。其中,402.6keVγ射线发射
使用流体力学软件CFX对中国实验快堆(CEFR)的Ⅰ-Ⅱ型栅板联箱的流动阻力特性实验进行模拟计算。对比计算结果和实验数据,讨论和分析产生误差的原因,验证三维数值模拟计算的可靠
提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法.所提方法具有不增加面积和延时、改善静态噪声边界、对SRAM设计流程的改动很小等优点.提出了三种
随着我国当前经济的发展态势,开放我国很多产业市场,大跨步地进行国际化转变已成定局。这种局势对于企业来说,极有可能助其发展壮大,也很有可能使其萎缩倒闭。因此,我国企业
描述了基于双眼视差原理的三维空间定位系统.该系统采用数码相机作为输入设备,应用中采用特殊设计的标靶,提高了计算机分析的效率和准确度,为核电厂设备维修提供了可靠实用的
简要介绍了跳源法在ADS中子学研究中测量次临界度的原理、外源驱动的次临界中子学的实验装置、堆芯布置及中子源驱动系统.主要研究了252Cf中子源在堆芯不同轴向位置、模拟质
提出了一种新型的系统矫正结构CMOS音频功率放大器.该放大器是由4个单端运放组成的伪差分结构.相对于传统的CMOS功率放大器,它具有低功耗、超低THD、易于补偿、驱动能力强等优点
通过几种常用的混凝剂处理合成洗涤剂废水的对比试验,从多种混凝剂中筛选出聚合硫酸铁混凝剂,并得出最佳的工艺条件和流程。试验结果表明,处理后出水 COD 值和 pH 均能达到国
提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with p buried layer).通过表面注入n^+薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电