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NTDCZSi中氧的沉淀与吸除
NTDCZSi中氧的沉淀与吸除
来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:znaddh
【摘 要】
:
在适当温度退火时,中子嬗变掺杂的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在奶火过程中会增强氧的外扩散在沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系,利用扩展电阻(SR-100C)法测量了硅片退火后氧的纵向分布
【作 者】
:
张维连
王志军
【机 构】
:
河北工业大学材料研究中心
【出 处】
:
功能材料
【发表日期】
:
1998年6期
【关键词】
:
中子嬗变掺杂
辐照缺陷
CZSI
氧沉淀退火
neutron transmutation dope
irradiation defects
czochrals
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在适当温度退火时,中子嬗变掺杂的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在奶火过程中会增强氧的外扩散在沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系,利用扩展电阻(SR-100C)法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式,发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。
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