论文部分内容阅读
用均匀设计法设计实验方案,在扩散温度为100 ̄1250℃,扩散后的降温速度为200 ̄600℃/h,扩散时间为20 ̄270min及扩散源中铋含量为25% ̄50%的范围内研究了用Bi2O3作为扩散源进行气相扩散时诸因素对SrTiO3半导体陶瓷进行晶界绝缘处理的影响。对实验结果进行统计回归处理的结果表明了各因素对样品的介电常数ε的影响,用SEM、PPMA对陶瓷断面和晶界附近铋含量的分布测定表明,在高温下