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提出了一种基于负阻器件共振隧穿二极管（RTD）与MOSFET结合的新型压控振荡器（VCO），并利用了高级设计系统（ADS）软件对该振荡器的可行性进行了电路仿真，利用分立RTD、MOSFET器件实现了此种VCO，实际调频范围在20～26MHz之间。RTD与三端器件的连接方式不同可呈现不同的调制，I-V特性，这种调制特性对基于RTD的振荡电路的频率也会产生影响。通过深入研究这种调制对振荡电路频率产生的影响，得到多种不同于常规方法的电压控制频率方式，其中一些具有很好的线性度。因此该电路的研究对于RTD在高频、高