【摘 要】
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采用电子回旋共振（ECR）氢等离子体对n型4H-SiC（0001）表面进行处理,并利用原位高能电子衍射（RHEED）对处理过程进行实时监控。在200°C～700°C温度范围内获得的RHEED图像成条
【机 构】
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大连理工大学电子与信息工程学院,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
【基金项目】
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国家科技部重大基础研究前期研究专项(2005CCA00100);辽宁省自然科学基金(20072192);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0278);教育部留学回国人员科研启动基金(20071108)
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采用电子回旋共振（ECR）氢等离子体对n型4H-SiC（0001）表面进行处理,并利用原位高能电子衍射（RHEED）对处理过程进行实时监控。在200°C～700°C温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构。用X射线光电子能谱（XPS）技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低。
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