【摘 要】
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使用自支撑GaN基材料制备了Schottky结构核辐射探测器,研究了探测器不同偏压扫描下的Ⅰ-Ⅴ特性.偏压从零偏向正偏扫描和从正偏向零偏扫描的Ⅰ-Ⅴ特性曲线并不重合；偏压从零偏
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生,北京大学,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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使用自支撑GaN基材料制备了Schottky结构核辐射探测器,研究了探测器不同偏压扫描下的Ⅰ-Ⅴ特性.偏压从零偏向正偏扫描和从正偏向零偏扫描的Ⅰ-Ⅴ特性曲线并不重合；偏压从零偏向反偏扫描和从反偏向零偏扫描的曲线不重合性并没有正偏明显.测试并分析了PL谱图,得出Ⅰ-Ⅴ特性曲线不重合的原因是:从零偏到正偏的导电机制是热生载流子,正偏到零偏的导电机制是大注入的非平衡载流子.
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