【摘 要】
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该成果采用直流磁控反应溅射制备非晶碳化硅薄膜光敏材料,与国内外现用的射频辉光放电分解及射频溅射法相比具有成膜速率高、溅射电压低、安全、简便、重复性好,薄膜的光性
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该成果采用直流磁控反应溅射制备非晶碳化硅薄膜光敏材料,与国内外现用的射频辉光放电分解及射频溅射法相比具有成膜速率高、溅射电压低、安全、简便、重复性好,薄膜的光性能优良等优点。其主要技术指标为:
The results of the DC magnetron reactive sputtering amorphous silicon carbide thin film photosensitive material, compared with the current domestic and foreign radio frequency glow discharge decomposition and radio frequency sputtering method has a high film formation rate, sputtering voltage is low, safe, simple, repeat Good, good light film performance advantages. The main technical indicators are:
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