【摘 要】
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用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备掺杂和本征的a-Si:H薄膜,用固相晶化法制备多晶硅薄膜。通过X射线衍射分析多晶硅的晶粒大小与a-Si:H的沉积条件及退火条件的关系,测量了多
【机 构】
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用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备掺杂和本征的a-Si:H薄膜,用固相晶化法制备多晶硅薄膜。通过X射线衍射分析多晶硅的晶粒大小与a-Si:H的沉积条件及退火条件的关系,测量了多晶硅薄膜的室温暗电导率和光能隙,讨论了影响暗电导率和光能隙的因素。
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