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在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉ薄膜，形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构，通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ沟道谱，ＳＥＭ及四探针等方法（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特性和电学特性进行了测试，在Ｓｉ衬底上Ｃｏ，Ｎｉ多层膜经快速热退火可形成高电导的（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２薄膜，其电阻