【摘 要】
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研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同持续恒压电应力条件下的退化机制,制作了一种A1GaN/GaN HEMT.对该器件分别采用恒压开态应力扣恒压关态应力,研究了与直流特性
【机 构】
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西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,西安,710126
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研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同持续恒压电应力条件下的退化机制,制作了一种A1GaN/GaN HEMT.对该器件分别采用恒压开态应力扣恒压关态应力,研究了与直流特性相关的重要参数的陷阱产生规律.实验结果表明,在开态应力下,由于存在热载流子效应,发生了阈值电压正漂现象,峰值跨导降低;在关态应力下,由于存在逆压电效应,发生了阈值电压负向漂移现象.
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