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叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆＴ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ同时根据不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆＴ的重要因素之一。
fT为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管
【摘 要】
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叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆＴ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ同时根据不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆＴ的重要因素之一。
【机 构】
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北京工业大学和北京市光电子技术实验室
【出 处】
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北京工业大学学报
【发表日期】
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1996年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金,国家科委＂八六三计划＂,北京市科委高技术资助项目
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