切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
Markov过程在预拌混凝土市场预测中应用
Markov过程在预拌混凝土市场预测中应用
来源 :大连理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wgp121554715
【摘 要】
:
随机运动的系统通常具有无后效性,或称具有Markov链的特性,这一特性广泛应用于各个领域,包括在管理科学的决策中. 将Markov链应用于预拌混凝土市场预测中,并阐述论证了稳定状
【作 者】
:
姜连馥
王延章
满杰
【机 构】
:
深圳大学,大连理工大学
【出 处】
:
大连理工大学学报
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
马尔柯夫链
转移概率
验证/结果评价
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
随机运动的系统通常具有无后效性,或称具有Markov链的特性,这一特性广泛应用于各个领域,包括在管理科学的决策中. 将Markov链应用于预拌混凝土市场预测中,并阐述论证了稳定状态下Markov链转移概率的性质和平衡方程的数学意义. 算例分析验证了方法的可行性.
其他文献
一种新的全局优化算法——统计归纳算法
在多极值问题的优化领域,主要有模拟退火算法(SA),遗传算法(GA),人工神经网络( ANN)算法,它们都是基于对自然现象模仿的算法.该文从更基本的优化思想出发,基于概率论提出了一
期刊
全局优化
模拟退火算法(SA)
遗传算法(GA)
统计归纳算法(SIA)
热轧退火态Fe-6.5%Si合金的力学行为及形变机制
为揭示热轧退火态 Fe- 6.5 % Si(质量分数 )合金的形变机制 ,研究了该合金不同温度下的力学性能 ,并利用透射电子显微镜分析了其有序结构和拉伸样品中的位错组态 .结果表明 ,
期刊
有序相
透射电镜
位错
超点阵
对应态基团贡献法(CSGC)估算有机物蒸汽压
通过引入拟临界性质的概念,将对应态原理与基团贡献方法相结合,提出一种新的物性估算方法--对应态基团贡献法(Corresponding State Group Contribution,简称CSGC).将其与Ried
期刊
基团贡献
有机物蒸汽压
物性估算
R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究
采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石 (0 0 0 1)面 (即C面 )和蓝宝石 (110 2 )面 (即R面 )上形成了InGaN量子点 ,并构成了该量子点的多层结构。原子力显微镜测试的结果表明
期刊
InGaN
量子点
MOCVD
基于惩罚函数的母子空间不同分辨率遗传算法研究
提出一种基于惩罚函数的母子空间不同分辨率搜索的遗传算法:在母空间中,该算法采用粗分辨率搜索,待搜索速度变慢后,用特征空间识别法优化各聚类中心,并在各聚类中心点创建子
期刊
遗传算法
母子空间
分辨率
惩罚函数
特征空间识别
不同类型的CO32-替换羟基磷灰石固溶体晶体化学FT-IR研究
利用FT-IR结合XRD对不同类型的CO32-替换磷灰石固溶体进行了晶体化学研究,结果表明:B型替换碳羟磷灰石(CHAP)的替换方式是犤CO3·OH犦四面体替换犤PO4犦四面体;A型替换CHAP的
期刊
碳羟磷灰石(CHAP) CO32-离子替换 固溶体 晶体化学 FT-IR
一种测量金属原子束密度通量及空间分布的新方法
为测量激光原子法同位素分离中密度通量,采用两端镀有铜电极的玻璃基片作测量探头,通过检测蒸镀在玻璃基片上两电极间金属薄膜电阻的变化来测量密度通量.探头输出信号经由多
期刊
同位素分离
金属原子束
密度通量
密度通量分布
加速器质谱法研究尼古丁与小鼠血液蛋白的加合作用
采用加速器质谱法(AMS)研究了小鼠血液中的血红蛋白(Hb)、白蛋白(SA)和尼古丁的加合作用. 在尼古丁剂量从相应于人吸烟的环境剂量水平0.1 μg/kg体重到100 μg/kg体重范围内,
期刊
加速器质谱法(AMS)
尼古丁
血红蛋白加合物
白蛋白加合物
基频光辐照靶产生的3ω0/2光谱与散射角的关系
用6条光纤组成的光纤阵列配光学多道分析仪,发展了一种多角度光谱分辨的诊断技术(MASRS).用多角度谱分辨的散射光探测系统系统在6个角度对1.053 μm激光辐照CH平面靶产生的3
期刊
激光等离子体
光谱分辨
双等离子体衰变
电子温度
4H-SiC MOSFET的温度特性研究
对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化
期刊
4H-SiC
MOSFET
与本文相关的学术论文