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提出了多晶硅太阳电池的一维物理模型,并对其在AM1.5太阳光照下的电池的短路电流密度Jsc、开路电压Voc、填充因子FF和转换效率刁进行了模拟计算,重点分析了多晶硅晶粒尺寸和电池厚度对n^+/p结构的多晶硅太阳电池性能的影响。模拟中主要引入载流子的有效迁移率和有效扩散长度两个物理量。模拟结果表明,电池效率在厚度50μm以内随厚度的增加而增大,当厚度大于50μm以后趋于饱和;当晶粒尺寸在100μm以内时,电池特性随晶粒尺寸的增加而显著提高,晶粒进一步增大时效率趋于饱和,此时背面复合速率的影响变大。