【摘 要】
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采用O2等离子体对柔性氟化乙烯丙烯共聚物（FEP）进行表面处理,然后,利用射频磁控溅射法在柔性氟化乙烯丙烯共聚物（FEP）上沉积修饰一层超薄SiO2,再沉积生长ZnO:Al薄膜。主要研究探
【机 构】
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上海交通大学-电子信息与电气工程学院-微纳电子学系-薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海航天技术研究院-上海卫星装备研究所
【基金项目】
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航天先进技术联合研究中心技术创新项目(USCAST2013-28)
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采用O2等离子体对柔性氟化乙烯丙烯共聚物（FEP）进行表面处理,然后,利用射频磁控溅射法在柔性氟化乙烯丙烯共聚物（FEP）上沉积修饰一层超薄SiO2,再沉积生长ZnO:Al薄膜。主要研究探讨柔性FEP基底修饰对ZnO:Al薄膜结构、薄膜界面结合状态、薄膜形貌、电学性能、弯曲后电学性能退化、光学性能和薄膜附着力的影响机理,利用XRD、XPS、AFM、SEM、UV-Vis-NIR分光光度计、ScotchTM粘附力测试、PPMS、四探针等表征手段对薄膜结构、成分、形貌、界面及薄膜物理性能进行表征。实验表明:柔性FEP基底经修饰后生长的ZnO:Al薄膜的结晶性能得到明显的提升、薄膜内应力有效降低、SiO2与柔性基底之间产生少量的化学键合。FEP柔性基底经修饰后,ZnO∶Al薄膜的电学性能、缓减弯曲后的电学性能变化等到明显改善、薄膜附着力有明显提高。
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