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采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射率效率为１６％，本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制备方法，给出了Ｓｉ冷阴极的雪崩电子发射特性，讨论了影响发射稳定性的主要因素。
Si雪崩冷阴极的电子发射特性
【摘 要】
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采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射率效率为１６％，本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制备方法，给出了Ｓｉ冷阴极的雪
【机 构】
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福州大学电子科学与应用物理系
【出 处】
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福州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1995年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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