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以NiFeNb作为坡莫合金薄膜的缓冲层，用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品：（Ni81Fel9）l小峨（0／Ni81Fel9（20nm）／Ta（3nm），研究了Nb原子含量、缓冲层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值（AMR），用原子力显微镜（AFM）分析样品表面形貌，用x射线衍射仪（XRD）分析样品的相结构。结果表明，（Ni81Fel9）o80TNb0193缓冲层对提高坡莫合金薄膜AMR值的作用明显大于Ta缓冲层。对于Ni81Fe