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我们用国产第一台化学束外延系统，采用气态源分子束外延技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａＩｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料，对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ）。阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射等测量分析。
气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料
【摘 要】
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我们用国产第一台化学束外延系统，采用气态源分子束外延技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａＩｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料，对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ）。阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射等测量分析
【机 构】
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中国科学院半导体所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年5期
【基金项目】
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国家高技术新材料领域资助
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