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研究了硼烷(H2H6)掺杂锗硅外延和磷烷(PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系。B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系;生长了B浓度直至10619mc^-3的多层阶梯结构,各层掺杂浓度均匀,过渡区约20nm,在整个外延层,Ge 组分(x=0.20)均匀而稳定,PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降;P浓度在PH3流量约为1.7xccm时达到了峰值(约6×10^18cm^-3)。分别按PH3流量增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3 掺杂Si外延的特殊性质。