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通过磁控溅射技术在Si（111）衬底上沉积Ga2O3／Co薄膜，然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）和光致发光谱（PL）对样品的结构、形貌和光学特性进行了表征。结果显示合成的GaN纳米结构具有六方纤锌矿结构，且纳米结构的生长受温度影响很大。PL谱显示在388nm处有一强的紫外发光峰，表明其在低维激光器件方面的应用优势。同时对纳米结构的生长机制进行了简单讨论。