GAN纳米结构相关论文
利用高温管式炉,Pt作为催化剂,金属Ga和氮气直接反应得到了不同形貌的GaN纳米结构。通过研究不同温度和不同氨气压强下GaN纳米......
用普通的化学气相沉积(CVD)技术,在高温真空管式炉中利用金属镓与氨气的反应在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)表面沉积GaN纳米结构。......
用FeNO3和HF的水溶液在140℃下与对重B掺杂p型(111)单晶硅片的水热腐蚀,可得到一种复杂的层次结构Si-NPA,微米尺度上有大量高2-3um......
本文采用氨化磁控溅射Ga_2O_3/Ti和Ga_2O_3/TiO_2薄膜的方法在硅衬底上合成了GaN纳米结构。通过研究不同生长条件对制备GaN纳米结......
通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)......
半导体纳米材料由于其特有的光电性能,且在未来器件小型化发展趋势方面具有潜在的应用价值,因而一直是纳米材料科学中的研究热点。......
以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物作为第三代半导体材料,由于在蓝光二极管、紫外探测器和短波长激光器等固体光电子器件方面的产......
采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜,通过化学气相沉积法(CVD)制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒。X射线衍射(XRD)、傅立叶......
通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收......
GaN是一种十分优异的宽带隙Ш一V族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下,GaN的禁带宽度为3.4eV,是制作......