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采用单双激发运动方程耦合簇（EOM－CCSD）以及多个包含迭代三激发在内的运动方程耦合簇变体（EOM－CCSDT－i， i=1a，1b，2，3和EOM－CC3）计算了HOF价层垂直电离势（VIP）．在EOM－CCSD水平上优化出各价层电离态结构，得到绝热电离势（ AIP），进一步计算出谐振频率．同时对称匹配簇组态相互作用（ SAC／SAC－CI）也被应用到部分计算．结果显示：EOM－CC3、EOM－CCSDT－3计算的VIP接近于全三激发运动方程耦合簇EOM－CCSDT结果；EOM－CC与SAC－CI值基本一致；同时发现HOF光电子能谱实验在2 A′态指认上有误并重新进行归属．HOF的第三VIP应为16．9 eV，而非光电子能谱实验测得的16．0 eV．