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<正> 4.4 宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。其中SiC器件技术最
微波半导体器件及电路的应用概况（续二）
【摘 要】
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<正> 4.4 宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,
【机 构】
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信息产业部电子第55所
【出 处】
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电子元器件应用
【发表日期】
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2000年12期
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