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利用ＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩ－ＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性。
一个证明SI—GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法
【摘 要】
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利用ＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩ－ＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进
【机 构】
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中科院半导体研究所半导体材料科学实验室,广西师范大学
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1998年2期
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