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研究了Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性，分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响，指出由于Ge和C的投影射程及标准偏差不同，二者在各处的组分比并不恒定，存在着纵向分布，因此各处的应变补偿情况也不尽相同。利用高斯公式对不同位置的应变补偿效果进行了分析，得出了外延层中存在应变完全补偿区域时Ge、C的峰值浓度比NGe/Nc应满足一定的取值范围。通过制备不同C组分的样品对上述结论进行了验证，得出的结果与理论预言基本相符。